Transistor de potencia y fototransistor.

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Transistor de potencia y fototransistor.

El transistor de potencia se traduce literalmente en un transistor gigante mediante el Transistor Gigante Inglés. Es un transistor de unión bipolar (BJT) que es resistente a alto voltaje y alta corriente, por lo que a veces se le llama Power BJT. Sus características son: alta tensión soportada. La corriente es grande, las características de conmutación son buenas, pero el circuito de conducción es complicado y la potencia de conducción es grande; El principio de funcionamiento del GTR y del transistor de unión bipolar ordinario es el mismo.

fototransistor

Un fototransistor es un dispositivo fotovoltaico compuesto por un dispositivo de tres terminales, como un transistor bipolar o un transistor de efecto de campo. La luz se absorbe en la región activa de dichos dispositivos, lo que produce portadores fotogenerados que producen ganancia de fotocorriente a través de un mecanismo de amplificación eléctrica interna. El fototransistor opera en los tres extremos, por lo que es fácil lograr control electrónico o sincronización eléctrica. El material utilizado para los fototransistores suele ser arseniuro de galio (GaAs), que se divide principalmente en fototransistores bipolares, fototransistores de efecto de campo y dispositivos relacionados. Los fototransistores bipolares suelen tener altas ganancias pero no son muy rápidos. Para GaAs-GaAlAs, el factor de amplificación puede ser superior a 1000 y el tiempo de respuesta es superior a nanosegundos. Se utiliza habitualmente en fotodetectores y en amplificación óptica. El fototransistor de efecto de campo tiene una velocidad de respuesta rápida (aproximadamente 50 picosegundos), pero la desventaja es que el área fotosensible es pequeña y la ganancia es pequeña (el factor de amplificación puede ser mayor que 10), que a menudo se usa como una velocidad muy alta. fotodetector. Junto a esto, existen muchos otros dispositivos optoelectrónicos planos que se caracterizan por su alta velocidad (tiempo de respuesta de decenas de picosegundos) y son adecuados para la integración. Se espera que estos dispositivos encuentren aplicación en la integración optoelectrónica.