Preparación del proceso de circuito integrado bipolar.

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Preparación del proceso de circuito integrado bipolar.

La figura muestra el flujo del proceso de preparación de un inversor de circuito integrado bipolar utilizando tecnología de aislamiento de unión PN.

La figura incluye un transistor NPN y una resistencia de carga R. El material original es una varilla de silicio monocristal con un diámetro de 75-150 mm dopada con impurezas de tipo P y la resistividad ρ=10 ohm · cm más o menos. El flujo del proceso es: primero, cortar, moler y pulir (es un proceso de preparación de oblea) para preparar una oblea de silicio circular con un espesor de aproximadamente 300 a 500 micrones como sustrato, y luego realizar crecimiento epitaxial, oxidación, fotolitografía y difusión. , Evaporación, unión a presión y limpieza de múltiples obleas y, finalmente, pasivación de superficies y embalaje terminado.

La fabricación de un chip de circuito integrado bipolar requiere 5 veces de oxidación, 5 veces de fotolitografía sobre una fina capa de óxido de silicio (SiO2) y se graba una ventana de patrón para dopaje por difusión. Finalmente, después de dos fotolitografías, se graban el cableado de interconexión de metal y aluminio y la ventana de pasivación para la unión a presión. Por tanto, existen 7 máscaras para todo el conjunto de circuitos integrados bipolares. Incluso si normalmente se omite el proceso de pasivación, se requieren 6 pasos de fotolitografía y 6 máscaras.