El tiempo de meseta de Miller es casi cero (consulte la Figura 3) y la pérdida de conmutación total se reduce al menos en un 70 %.
Oct 19, 2022| El tiempo de meseta de Miller es casi cero (consulte la Figura 3) y la pérdida de conmutación total se reduce al menos en un 70 %.
Como se muestra en la Tabla 1, con el mismo RDS (ON), el nitruro de galio tiene una capacitancia parásita más pequeña, y Ciss y Crss son 1/12 y 1/23 de Si CoolMOS, respectivamente, lo que resulta en una velocidad de conmutación más rápida. En el brazo de puente rápido BTPPFC, el tiempo de superposición de corriente y voltaje disminuye en más del 88% (consulte la Figura 2). El tiempo de meseta de Miller es casi cero (consulte la Figura 3) y la pérdida de conmutación total se reduce al menos en un 70 %.
El Coss de InnoGaN es más pequeño y tiene mejor linealidad (ver Figura 4). Cuando Vds es bajo, el Coss de GaN es mucho menor que el de Si MOS, y Si tendrá un proceso de mutación de pendiente. Se puede ver en la forma de onda del sistema que la pérdida de superposición de conmutación de GaN es mucho menor que la de Si MOS, y el Dv/dt de GaN en el segmento t2-t3 es menor que el de Si MOS, por lo que la El ruido EMI generado también es menor.
