Parámetros principales del transistor.
Nov 05, 2019| Siga cargando de forma segura con SChitec
Parámetros principales del transistor.
Los principales parámetros del transistor son el factor de amplificación de corriente, la potencia disipada, las características de frecuencia, la corriente máxima del colector, el voltaje inverso máximo, la corriente inversa y similares.
factor de amplificación
El factor de amplificación de corriente CC, también llamado factor de amplificación de corriente de reposo o factor de amplificación de CC, se refiere a la relación entre la corriente IC del colector del transistor y la corriente base IB cuando se ingresa la señal estática que no cambia, y generalmente se expresa como hFE. o .
aumento de CA
El factor de amplificación de CA, es decir, el factor de amplificación de corriente CA y el factor de amplificación de corriente dinámica, es la relación entre la variación de corriente del colector del transistor ΔIC y la variación de corriente base ΔIB en el estado de CA, y generalmente se expresa como hfe o .
hFE o es a la vez distinta y estrechamente relacionada. Los valores de los dos parámetros están más cerca en las frecuencias bajas y existen algunas diferencias en las frecuencias altas.
poder disipado
La potencia disipada también se denomina potencia disipada máxima permitida PCM del colector y se refiere a la potencia máxima disipada del colector cuando los cambios de parámetros del transistor no exceden el valor permitido especificado.
La potencia disipada está estrechamente relacionada con la temperatura de unión máxima permitida del transistor y la corriente máxima del colector. Cuando el transistor está en uso, su consumo de energía real no debe exceder el valor PCM; de lo contrario, el transistor se dañará debido a una sobrecarga.
Un transistor que tiene un PCM de disipación de potencia inferior a 1 W se denomina generalmente transistor de pequeña potencia, un transistor que tiene un PCM igual o superior a 1 W y menos de 5 W se denomina transistor de potencia media y un transistor que tiene un PCM de disipación de potencia inferior a 1 W se denomina generalmente transistor de potencia pequeña. Un transistor que tiene un PCM igual o superior a 5 W se denomina transistor de alta potencia.
Cuando la frecuencia de funcionamiento del transistor de frecuencia característica fT excede la frecuencia de corte fof, el valor del factor de amplificación actual disminuirá a medida que aumenta la frecuencia. La frecuencia característica es la frecuencia de funcionamiento del transistor cuando el valor de se reduce a 1.
Un transistor cuya frecuencia característica fT es menor o igual a 3 MHz se denomina generalmente tubo de baja frecuencia, un transistor que tiene una frecuencia característica fT mayor o igual a 30 MHz se denomina tubo de alta frecuencia y un transistor que tiene una fT superior a 3 MHz y inferior a 30 MHz se denomina tubo de frecuencia intermedia.
Frecuencia más alta fM
La frecuencia de oscilación más alta es la frecuencia correspondiente a la ganancia de potencia del transistor que se reduce a uno.
Generalmente, la frecuencia de oscilación más alta del transistor de alta frecuencia es menor que la frecuencia de corte de base común f, y la frecuencia característica fT es mayor que la frecuencia de corte de base común f y menor que la frecuencia de corte del colector común f.
Corriente máxima
La corriente máxima del colector (ICM) es la corriente máxima permitida por el colector del transistor. Cuando la corriente del colector IC del transistor excede el ICM, el valor del transistor y otros parámetros cambiarán significativamente, afectando su funcionamiento normal e incluso dañándolo.
Tensión inversa máxima
El voltaje inverso máximo es el voltaje de funcionamiento máximo permitido para que funcione el transistor. Incluye voltaje de ruptura inverso colector-emisor, voltaje de ruptura inverso colector-base y voltaje de ruptura inverso emisor-base.