¿Qué es la tecnología GAN para los cargadores?
Dec 15, 2021| Para hacerlo mas simple,un cuerpo pequeño con gran potencia.
Los cargadores de nitruro de galio (GaN) causaron un gran revuelo en el Salón Internacional de Electrónica de Consumo, y esta moderna alternativa al silicio significa que están apareciendo cargadores y fuentes de alimentación más pequeños y eficientes.
Los cargadores de GaN son físicamente más pequeños que los cargadores actuales, porque los cargadores de GaN no requieren menos componentes que los cargadores de silicio. Este material puede conducir voltajes mucho más altos que el silicio con el tiempo. Los cargadores de GaN no sólo son más eficaces en la transferencia de corriente, sino que también significan que se pierde menos energía en calor. Por lo tanto, cuando los componentes son más eficientes a la hora de transferir energía al dispositivo, normalmente se necesitan menos componentes. Como resultado, con la popularidad generalizada de la tecnología, las fuentes de alimentación y los cargadores de GaN se reducirán significativamente. Hay otros beneficios, como que una mayor frecuencia de conmutación puede lograr una transmisión de energía inalámbrica más rápida.
El nitruro de galio es un material semiconductor que se convirtió en el centro de atención en la década de 1990 en la fabricación de LED. GaN se utilizó para crear los primeros LED blancos, láseres azules y pantallas LED a todo color que se pueden ver durante el día. En los reproductores de DVD Blu-ray, GaN produce luz azul, que lee los datos del DVD.
Parece que GaN pronto sustituirá al silicio en muchas áreas. Los fabricantes de silicio han trabajado incansablemente durante décadas para mejorar los transistores basados en silicio. Según la ley de Moore, el número de transistores en los circuitos integrados de silicio se duplica aproximadamente cada dos años. Esta observación se hizo en 1965 y ha sido básicamente correcta durante los últimos 50 años. Sin embargo, en 2010 el desarrollo de la tecnología de semiconductores cayó por primera vez por debajo de esta velocidad. Muchos analistas (y el propio Moore) predicen que para 2025 la Ley de Moore quedará obsoleta.
La producción de transistores GaN aumentó en 2006. El proceso de fabricación mejorado significa que los transistores GaN se pueden fabricar en el mismo tipo de equipo que el silicio. Esto puede reducir los costos y alentar a más fabricantes de silicio a utilizar GaN para producir transistores.