¿Por qué el nitruro de galio es mejor que el silicio?
Dec 18, 2021| En comparación con el silicio, la ventaja del GaN se reduce a la eficiencia energética. Como explicó GaN Systems, un fabricante profesional de nitruro de galio:
"Todos los materiales semiconductores tienen la llamada banda prohibida. Este es el rango de energía en el que no pueden existir electrones en un sólido. En resumen, la banda prohibida está relacionada con la conductividad eléctrica del material sólido. La banda prohibida del nitruro de galio "Es de 3,4 eV, mientras que el del silicio es de 1,12 eV. El nitruro de galio tiene una banda prohibida más amplia, lo que significa que puede soportar voltajes y temperaturas más altos que el silicio".
Otro fabricante de GaN, Efficient Power Conversion Corporation, afirmó que la eficiencia de guía de electrones del GaN es 1,000 veces mayor que la del silicio y su costo de fabricación es menor.
Una mayor eficiencia de banda prohibida significa que la corriente puede pasar a través de los chips de GaN más rápido que los chips de silicio, lo que puede conducir a una potencia de procesamiento más rápida en el futuro. En resumen, los chips fabricados con GaN serán más rápidos, más pequeños, más eficientes energéticamente y (eventualmente) más baratos que los chips fabricados con silicio.
Es previsible que no veamos fácilmente muchos cargadores de GaN antes de que los grandes fabricantes de hardware (como Apple y Samsung) empiecen a incluirlos en los nuevos ordenadores y smartphones.